FEATURES | |||
1). 分布式放大门极结构 | |||
2). 快速开关和高di/dt | |||
3). 低开关损耗 | |||
TYPICAL APPLICATIONS | IT(AV) | 400A | |
1). 逆变器 | VDRM / VRRM | 800~1600V | |
2). 斩波器 | tq | 16~35μs | |
3). 感应加热 | ITSM | 5 KA |
符号 | 参数 | 测试条件 | 结温 | 参数值 | 单位 | |||
Tj(℃) | 最小 | 典型 | 最大 | |||||
ITAV) | 通态平均电流 | 180°正弦半波,50Hz双面散热,Ths=83℃ | 115 | 400 | A | |||
VDRM VRRM | 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 | VDRM & VRRM,tp=10ms VDSM &VRSM= VDRM &VRRM+100V | 115 | 800 | 1600 | V | ||
IDRM IRRM | 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 | VDM=VDRM VRM= VRRM | 115 | 40 | mA | |||
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 10ms底宽正弦半波 VR=0.6VRRM | 115 | 5 | KA | |||
I2t | 浪涌电流平方时间积 | 125 | A2s*103 | |||||
VTO | 门槛电压 | 115 | 1.32 | V | ||||
rT | 斜率电阻 | 0.66 | mΩ | |||||
VTM | 通态峰值电压 | ITM=1200A, F=15KN | 25 | 3.2 | V | |||
dv/dt | 断态电压临界上升率 | VDM=0.67VDRM | 115 | 500 | V/μs | |||
di/dt | 通态电流临界上升率 | VDM= 67%VDRM to 1000A, 门极脉冲 tr ≤0.5μs IGM=1.5A重复值 | 115 | 300 | A/μs | |||
Irm | 恢复电流 | TM=600A,tp=1000μs, di/dt=-20A/μs, VR=50V | 115 | 85 | A | |||
trr | 恢复时间 | 3.5 | μs | |||||
Qrr | 恢复电荷 | 144 | 160 | μC | ||||
tq | 电流换相关断时间 | ITM=600A, tp=1000μs, ,VR=50V dv/dt=-30V/μs,di/dt=-20A/μs | 16 | 35 | μs | |||
IGT | 门极触发电流 | VA=12V, IA=1A | 25 | 40 | 250 | mA | ||
VGT | 门极触发电压 | 0.9 | 2.5 | V | ||||
IH | 维持电流 | 20 | 400 | mA | ||||
VGD | 门极不触发电压 | VDM=0.67VDRM | 115 | 0.3 | V | |||
Rth(j-h) | 热阻抗(结至散热器) | 双面散热,安装力 15KN | 0.040 | ℃ /W | ||||
Fm | 安装力 | 10 | 20 | KN | ||||
Tstg | 存储温度 | -40 | 140 | ℃ | ||||
Wt | 质量 | 110 | g | |||||
Size | 包装盒尺寸 | 95×95×50 | mm |
Fig.1 通态伏安特性曲线 | Fig.2 结至散热器瞬态热电阻抗曲线 |
Fig.3通态浪涌电流与周波数的关系曲线 | Fig.4 I2t特性曲线 |
Fig.5门级功率曲线 | Fig.6门级触发特性曲线 |