特点 | |||
1). 芯片与底板电气绝缘, 2500V交流电压 | |||
2). 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 | |||
3). 体积小, 重量轻 | |||
典型应用 | IT(AV) | 100A | |
1). 交直流电机控制 | VDRM/VRRM | 600~1800V | |
2). 各种整流电源 | ITSM | 2.4 A×103 | |
3). 变频器 | I2t | 29 A2S*103 |
符号 | 参数 | 测试条件 | 结温 | 参数值 | 单位 | ||
Tj(℃) | 最小 | 典型 | 最大 | ||||
IT(AV) | 通态平均电流 | 180°正弦半波,50Hz,单面散热,Tc=85℃ | 125 | 100 | A | ||
IT(RMS) | 方均根电流 | 125 | 600 | 173 | A | ||
VDRM VRRM | 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 | VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V | 125 | 1800 | V | ||
IDRM IRRM | 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 | VDM= VDRM VRM= VRRM | 125 | 12 | mA | ||
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 10ms底宽,正弦半波, VR=0.6VRRM | 125 | 2.40 | KA | ||
I2t | 浪涌电流平方时间积 | 29 | A2S*103 | ||||
VTO | 门槛电压 | 125 | 0.8 | V | |||
rT | 斜率电阻 | 2.29 | mΩ | ||||
VTM | 通态峰值电压 | IFM=330A | 25 | 1.69 | V | ||
dv/dt | 断态电压临界上升率 | VDM=67%VDRM | 125 | 800 | V/μs | ||
di/dt | 通态电流临界上升率 | ITM =220A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs | 125 | 100 | A/μs | ||
IGT | 门极触发电流 | VA=12V, IA=1A | 25 | 30 | 100 | mA | |
VGT | 门极触发电压 | 1.0 | 2.5 | V | |||
IH | 维持电流 | 20 | 150 | mA | |||
VGD | 门极不触发电压 | At 67%VDRM | 125 | 0.2 | V | ||
Rth(j-c) | 热阻抗(结至壳) | 180°正弦波, 单面散热 | 0.250 | ℃ /W | |||
Rth(c-h) | 热阻抗(壳至散) | 180°正弦波, 单面散热 | 0.15 | ℃ /W | |||
Viso | 绝缘电压 | 50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max) | 2500 | V | |||
Fm | 安装扭矩(M5) | 4 | N·m | ||||
安装扭矩(M6) | 6 | N·m | |||||
Tstg | 贮存温度 | -40 | 125 | ℃ | |||
Wt | 质量 | 外形为104B | 160 | g | |||
Size | 包装盒尺寸 | mm |
Fig.1 通态伏安特性曲线 | Fig.2 结至管壳热阻抗曲线 |
Fig.3 最大功耗与平均电流的关系曲线 | Fig.4 管壳温度与通态平均电流的曲线 |
Fig.5 最大正正向功耗与平均电流的关系曲线 | Fig.6 管壳温度与通态平均电流的曲线 |
Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线 | Fig.8 I2t特性曲线 |
Fig.9 门级功率曲线 | Fig.10 门级触发特级曲线 |