特点 | |||
1). 芯片与底板电气绝缘, 2500V交流电压 | |||
2). 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 | |||
3). 体积小, 重量轻 | |||
典型应用 | IT(AV) | 26A | |
1). 交直流电机控制 | VDRM/VRR | 800~1800V | |
2). 各种整流电源 | IFSM | 0.55 A×103 | |
3). 变频器 | I2t | 1.5 A2S*103 |
符号 | 参数 | 测试条件 | 结温 | 参数值 | 单位 | ||
Tj(℃) | 最小 | 典型 | 最大 | ||||
IT(AV) | 通态平均电流 | 180° 正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ | 125 | 26 | A | ||
IT(RMS) | 方均根电流 | 125 | 41 | A | |||
VRRM VRRM | 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 | VDRM&VRRMtp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V | 125 | 600 | 1800 | V | |
IDRM IRRM | 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 | VDM= VDRM VRM= VRRM | 125 | 8 | mA | ||
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 10ms底宽,正弦半波, VR=0.6VRRM | 125 | 0.55 | KA | ||
I2t | 浪涌电流平方时间积 | 1.50 | A2S*103 | ||||
VTO | 门槛电压 | 125 | 0.85 | V | |||
rF | 斜率电阻 | 9.68 | mΩ | ||||
VTM | 通态峰值电压 | IFM=80A | 25 | 1.69 | V | ||
dv/dt | 断态电压临界上升率 | VDM=67%VDRM | 125 | 800 | V/μs | ||
di/dt | 通态电流临界上升率 | ITM =52A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs | 125 | 50 | A/μs | ||
IGT | 门极触发电流 | VA=12V, IA=1A | 25 | 30 | 100 | mA | |
VGT | 门极触发电压 | 0.8 | 2.5 | V | |||
IH | 维持电流 | 20 | 150 | mA | |||
VGD | 门极不触发电压 | At 67%VDRM | 125 | 0.2 | V | ||
Rth(j-c) | 热阻抗(结至壳) | 180°正弦波, 单面散热 | 0.950 | ℃ /W | |||
Rth(c-h) | 热阻抗(壳至散) | 180°正弦波, 单面散热 | 0.2 | ℃ /W | |||
Viso | 绝缘电压 | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX) | 2500 | V | |||
Fm | 安装扭矩(M5) | 4 | N·m | ||||
安装扭矩(M6) | 6 | N·m | |||||
Tstg | 贮存温度 | -40 | 125 | ℃ | |||
Wt | 质量 | 外形为101F | 115 | g | |||
Size | 包装盒尺寸 | 210×113×42(10只装) | mm |
Fig.1 通态伏安特性曲线 | Fig.2 瞬态热阻抗曲线 |
Fig.3 最大通态功耗与平均电流的关系曲线 | Fig.4 管壳温度与正向平均电流的曲线 |
Fig.5 最大通态功耗与平均电流的关系曲线 | Fig.6 管壳温度与通态平均电流的曲线 |
Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线 | Fig.8 I2t特性曲线 |
Fig.9 门级功率曲线 | Fig.10 门级触发特性曲线 |