特点 | ![]() | ||
1). 芯片与底板电气绝缘, 2500V交流电压 | |||
2). 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 | |||
3). 体积小, 重量轻 | |||
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典型应用 | IT(AV) | 800A | |
1). 交直流电机控制 | VDRM/VRRM | 600~1800V | |
2). 各种整流电源 | ITSM | 16 A×103 | |
3). 变频器 | I2t | 1280 A2S*103 |
符号 | 参数 | 测试条件 | 结温 | 参数值 | 单位 | |||
Tj(℃) | 最小 | 典型 | 最大 | |||||
IT(AV) | 通态平均电流 | 180°正弦半波,50Hz,单面散热,Tc=85℃ | 125 | 800 | A | |||
IT(RMS) | 方均根电流 | 125 | 1256 | A | ||||
VRRM VRRM | 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 | VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V | 125 | 600 | 1800 | V | ||
IDRM IRRM | 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 | VDM= VDRM VRM= VRRM | 125 | 40 | mA | |||
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 10ms底宽,正弦半波 VR=0.6VRRM | 125 | 16.0 | KA | |||
I2t | 浪涌电流平方时间积 | 1280 | A2s*103 | |||||
VTO | 门槛电压 | 125 | 0.8 | V | ||||
rT | 斜率电阻 | 0.42 | mΩ | |||||
VTM | 通态峰值电压 | ITM=3000A | 25 | 1.95 | V | |||
dv/dt | 断态电压临界上升率 | VDM=67%VDRM | 125 | 800 | V/μs | |||
di/dt | 通态电流临界上升率 | ITM =2000A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤1μs | 125 | 100 | A/μs | |||
IGT | 门极触发电流 | VA=12V, IA=1A | 25 | 30 | 200 | mA | ||
VGT | 门极触发电压 | 1.0 | 3.0 | V | ||||
IH | 维持电流 | 20 | 200 | mA | ||||
VGD | 门极不触发电压 | At 67%VDRM | 125 | 0.2 | V | |||
Rth(j-c) | 热阻抗(结至壳) | 180°正弦波, 单面散热 | 0.054 | ℃ /W | ||||
Viso | 绝缘电压 | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX) | 2500 | V | ||||
Fm | 安装扭矩(M12) | 12 | N·m | |||||
安装扭矩(M8) | 6 | N·m | ||||||
Tstg | 贮存温度 | -40 | 125 | ℃ | ||||
Wt | 质量 | 外形为111F | 2600 | g | ||||
Size | 包装盒尺寸 | 235×96×108(1只装) | mm |
![]() Fig.1正向伏安特性曲线 | ![]() Fig.2 瞬态热阻抗曲线 |
![]() Fig.3最大正向功耗与平均电流的关系曲线 | ![]() Fig.4管壳温度与正向平均电流的关系曲线 |
![]() Fig.5最大正向功耗与平均电流的关系曲线 | ![]() Fig.6管壳温度与正向平均电流的曲线 |
![]() Fig.7正向浪涌电流与周波数的关系曲线 | ![]() Fig.8 I2t特性曲线 |
![]() Fig.9 门极功率曲线 | ![]() Fig.10 门极触发特性曲线 |