一般情况中：触发脉冲电流幅值：I_G = 10 I_GT，脉冲上升时间：t_r≤1µs;

 

　　高di/dt下运用：器件在高di/dt下运用时，特别是当晶闸管的阻断电压很高时，在开通过程中门-阴间横向电阻所产生的电压可能会超过门极电压，严重时，甚至会使门极电流倒流。这种负的门极电流会引起开通损耗增加，可能会导致器件高di/dt损坏。

 

　　因此，我们要求在高di/dt下运用时，门极触发电源电压V_G不低于20V，或在门极线路上串联二极管，防止门极电流倒流。

 

　　晶闸管的并联时，陡而强的门极触发脉冲能使并联晶闸管开通特性的不平衡降至最小，达到最佳的均流效果。晶闸管的串联时，其相互串联的每个晶闸管皆尽可能地一致开通。

　　乐清市柳晶整流器有限公司，专业生产各种光伏二极管,可控硅,桥式整流器,防反二极管,晶闸管,固态继电器,光伏防反二极管,整流器,整流桥等。