可控硅(
晶闸管)设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因, 如整流
可控硅(
晶闸管)损坏, 触发电路或控制系统有故障等。其中
整流桥晶闸管损坏一类较为严重, 一般是由于
可控硅(
晶闸管)因过电压击穿,造成无正、反向阻断能力,它相当于
整流桥臂发生永久性短路,使在另外两桥臂
晶闸管导通时,无法正常换流,因而产生线间短路引起过电流。另一类则是
整流桥负载发生短路而引起的过电流。另外,如整流变压器中心点接地,当逆变负载回路接触大地时,也会发生
整流桥相对地短路。
对于整流桥内部原因引起的过流,以及逆变器负载回路接地时,最常见采用的保护措施就是接入快速熔断器的方式,见图。快速熔短器的接入方式共有三种(A、B、C三型),其特点和快速熔短器的额定电流见表1。