MDK55A电流上升率的影响主要表现在以下两个方面：
　　①dIT/dt(导通时的电流上升率)—当MDK55A双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载MDK55A电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2 短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，MDK55A双向可控硅可能可以幸存。因此，假如MDK55A双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和(空心)电感。
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